عزل ثنائي اوكسيد - السيلكون
المؤلف:
الدكتور صبحي سعيد الراوي
المصدر:
فيزياء الألكترونات
الجزء والصفحة:
625
13-10-2021
2550
عزل ثنائي اوكسيد - السيلكون
يتم في هذه الطريقة احاطة كل منطقة N بطقة من ثاني وكسيد السيلكون. تكون طبقة الاساس في هذه الحالة غير مطعمة او بعبارة اخرى انها من شبه موصل نقي - انظر الشكل (1)
الشكل (1): عزل ثاني أوكسيد السيلكون
من الواضح ان هذه الطريقة في العزل تفوق الطريقة الاولى وتمتازعليها .فالعزل هنا فضل. لأن ثاني اوكسيد السيلكون يكون اكثرعزلا من وصلة ال PN المنحازة عكسيا . كذلك فان المتسعة بين منطقة N وطبقة الاساس سوف تختفي – لاختفاء الاخيرة - وبذلك يتحسن عمل الدائرة في الترد دات العالية .
وعلى الرغم من المميزات اعلاه فان هذه الطريقة تتطلب زيادة في خطوات التصنيع مما يعني زيادة في الكلفة ذلك ان الكلفة الرخيصة هي حجر الزاوية في صناعة الدوائر المتكاملة
0
0
لا توجد تعليقات بعد
ما رأيك بالمقال : كن أول من يعلق على هذا المحتوى
الاكثر قراءة في الألكترونيات
اخر الاخبار
اخبار العتبة العباسية المقدسة
